Расширенный входной контроль

СОГЛАСОВАНО                                 УТВЕРЖДАЮ        

Директор ЗАО «КРОН»                        Генеральный директор  ___ «___ _______»

                                                             

____________С.А.Пахомов                  ____________ _._.____________

«____»___________201__г.               «____»___________201__г.

 

Расширенный  входной  контроль микросхемы 

типа ############# (CENSORED).

Тип изделия - микросхема.

Количество изделий  -  1 шт.

Наработка — 00 час., состояние поставки.

Причина направления на исследование – проверка соответствия маркировки и изготовителя изделия.

При выполнении работы было использовано следующее аналитическое оборудование:

- оптический микроскоп МСП-1;

- оптический микроскоп БИОЛАМ-И;

- устройство для декапсуляции ИС  PS-102;

- рентгеновский  микроскоп МТР-4М;

- растровый электронный  микроскоп TESСAN. 

   Программа проведения входного контроля 

ИМС типа ############# (CENSORED).  

1. Проверка размеров конструкции, веса, маркировки. Методы 404-1, 406-1. Углублённый контроль внешнего вида ИМС с увеличением 1000 крат, поиск признаков перемаркировки, перепайки, следов применения или контрафактной технологии. Методы 405-1, 405-1-3.

2. Рентгеновский контроль, рентгенография ИМС. Методы-414-1,414-2.

3. Вскрытие  корпуса, химическое стравливание материала корпуса, удаление защитного покрытия  с поверхности кристалла. Метод-414-12.

4. Внутренний визуальный контроль кристалла, его посадки на основание, выполнения внутренних соединений, проверка маркировки на поверхности кристалла. Метод-405-1.1.

5. Контроль поверхности кристалла, дефектов металлизации, напыления с использованием РЭМ. Проведение  микроанализа.  Метод-414-4.

Результаты  исследования. 

1. До вскрытия корпуса.

На исследование  микросхема  поступила в картонной упаковке,  в вакуумной антистатической пленке  (фото 1, 2, 3).

 

Фото 1

 

 Фото 2

   Фото 3

 Контроль внешнего вида микросхемы, ее размеров, веса и маркировки производился  в полном соответствии  с  требованиями  ГОСТ 24297-87 (Входной контроль продукции), с использованием методов 404-1 и 406-1. При проведении оптического контроля  был  использован  микроскоп МСП-1. с увеличением  10—100 крат.  С  целью  получения  дополнительной  информации корпус  микросхемы, маркировка, выводы и их  покрытие, были  исследованы с увеличением до 1000 крат с применением  исследовательского  оптического  микроскопа  (БИОЛАМ-И).  Признаков  нанесения  повторной  маркировки  не  обнаружено (фото 4, 5).   

 

Фото 4 

 

Фото 5

 

 Часть  выводов микросхемы незначительно  деформирована (фото 6).

Фото 6

  

На двух  выводах  микросхемы  обнаружены  частицы  перегретой  канифоли (фото 7). Облуживание  большей  части  выводов  выполнено  безупречно. 

 Фото Фото 7

Незначительная часть  выводов  микросхемы  имеет  неровности в  покрытии (Фото 8). Признаков пайки  или  других  воздействий  на  выводы  не  обнаружено.

Фото 8 

 

2.  Рентгеновский  контроль.

2.1. На  фото 9  представлена  рентгенограмма  микросхемы. На  рентгенограмме  обрывов, пережогов, замыканий  не обнаружено. Кристалл  посажен  ровно,  без  перекосов, пустот  в  соединении  кристалл-основание  не  обнаружено.  Дефектов  термокомпрессионых  соединений,  посторонних  частиц  не  обнаружено.

Фото 9

 

3.    После  вскрытия  корпуса.

3.1   Внутренний  визуальный  контроль. На  фото 10  показана   ИС  после  вскрытия  корпуса.  Кристалл  микросхемы  высшей степени  интеграции,  размером  8х9 мм, трещин или  других   дефектов  не имеет. Термокомпрессионные  соединения,  скрайбирование  кристалла  выполнено  без замечаний.

Фото 10

  

На  противоположных  углах  кристалла  нанесены  обозначения  ############# (CENSORED)  и  ############# (CENSORED).   (фото 11, 12).

 

 Фото 11

  

Фото 12

  На  фото 13  показано  место  возможного  пробоя,  требуется  уточнение  с  использованием  РЭМ.

 

Фото 13

На  фото  14,15,16  показаны  фрагменты различных  частей  кристалла.  Коррозии, разрушений  металлизации  не  обнаружено.  Уровень  технологического  исполнения  кристалла – высокий.  Каких-либо  изменений, дополнений  в  топологии  кристалла  не  обнаружено.  

 

Фото 14

  

 Фото 15

  

Фото 16

4.    Контроль  кристалла  с  использованием  РЭМ.

4.1. Контроль поверхности кристалла и отдельных его фрагментов  проводился с использованием растрового  электронного  микроскопа при увеличении  от 600 до 4000 крат.  На фото 17, 18  показаны фрагменты  кристалла  микросхемы. Каких – либо дефектов, разрушений на поверхности кристалла не обнаружено.

 

Фото 17

На фото 18 показано  место возможного пробоя (cм. п. 2.1). При проверке на  РЭМ наличие  пробоя не подтвердилось, место указанное стрелкой – загрязнение остатками пластмассы  корпуса.

 

 Фото 18

  

 

 

 

На другом фрагменте  кристалла обнаружена металлическая частица (фото 19, 20).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фото 19

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фото 20

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Соединения внутри  корпуса, термосварные  соединения выполнены без замечаний (фото 21).

 

 

 

 

 

 

 

 

Фото 21

  

 

 

 

Микроанализ частицы показал наличие  в ее составе Fe,  Ni , Co (см. фото 22).

 

 

 

 

 

 

 

 

Фото 22

  

 

 

 

Выводы.

 

 

1. Использованное в настоящей работе аналитическое оборудование, методы контроля являются эффективным средством при проведении работ по оценке качественных  характеристик ЭРИ.

 

 

2Признаков контрафактных технологий, других нарушений при контроле  ИМС не обнаружено. Обнаруженная металлическая частица и загрязнение кристала остатками пластмассы корпуса - результат проведения декапсюляции (вскрытия корпуса микросхемы).

 

 

 

 

 

 

 

 

        Н-к  ИЛ      _________                              Гл. специалист                   ___________